INVESTIGADORES DE LA UNIVERSIDAD COMPLUTENSE CREAN MATERIALES ARTIFICIALES CON NUEVAS PROPIEDADES

Edición 2010 - Número 2 (236) - 6 de marzo 2010

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(Noticia publicada originalmente en la página de la Universidad Complutense de Madrid)

Los resultados de esta investigación, que abren una nueva vía para los dispositivos electrónicos del futuro, han sido publicado en la revista científica Advanced Materials
La revista Advanced Materials en su número de febrero publica un artículo en el que se muestra el potencial de materiales artificiales nanoestructurados basados en óxidos complejos para el control de las propiedades de la interfase permitiendo diseñar nuevos comportamientos y funcionalidades. Los científicos del Grupo de Física de Materiales Complejos de la Universidad Complutense de Madrid han producido heteroestructuras que alternan capas de titanato de estroncio (SrTiO3), y manganita de lantano (LaMnO3), dos materiales aislantes, que sin embargo unidos dan lugar a dos efectos inesperados: magnetismo y elevada conductividad eléctrica en la interfase entre ambos. Este grupo forma parte de la Unidad Asociada Materiales y Heteroestructuras para Espintrónica con el Instituto de Ciencia de Materiales del CSIC donde se ha realizado la caracterización magnética y de transporte. La imagen directa de estas interfases ha sido obtenida por científicos del Laboratorio Nacional de Oak Ridge (EEUU) utilizando un microscopio electrónico de transmisión-barrido de última generación y con resolución por debajo de 0.1 nm. La caracterización estructural utilizando dispersión de rayos x de sincrotrón la ha realizado Javier Garcia Barriocanal, autor principal de este trabajo, en la Línea Española en el ESRF (Grenoble), Spline.

El resultado científico es de gran relevancia ya que muestra la posibilidad de controlar la estructura electrónica de la interfase para obtener funcionalidades específicas. Se propone la utilización de estos resultados para la  implementación práctica de dispositivos de electrónica de óxidos como uniones túnel magnéticas (muy relevantes para el almacenamiento magnético de información) o dispositivos de efecto campo (transistores) controlados por campo magnético que pueden ser de utilidad como nuevos sensores. Los grupos implicados en esta investigación están integrados en el Clúster de Materiales del  Campus de Excelencia UCM- UPM (Campus Moncloa),  que tiene como uno de sus objetivos la consolidación de un polo científico tecnológico capaz de fabricar dispositivos de óxidos correlacionados y hacer frente a los nuevos retos de la nueva electrónica de óxidos.

Durante el siglo XX, los dispositivos electrónicos han tenido una profunda influencia sobre la calidad de vida revolucionando las comunicaciones, la computación, la manufactura, y el transporte. Nuestra moderna sociedad ha generado la necesidad de dispositivos electrónicos cada vez más pequeños: los nuevos mercados de la electrónica exigen mayor densidad de integración en los dispositivos pero también menor consumo y mayor velocidad. Esto ha impulsado a investigadores y científicos a explorar protocolos de fabricación en los que las dimensiones se reducen hasta el rango del tamaño de unas decenas de átomos. Esta carrera en la que los dispositivos electrónicos se hacen cada vez más pequeños ha planteado problemas que la industria de semiconductores no puede resolver, debido, en parte a que la miniaturización se acerca al límite en el que las leyes de la Física que rigen el funcionamiento de los actuales dispositivos dejan de ser válidas.

La  nanoelectrónica ha emergido como un campo multidisciplinar que estudia los cambios en las propiedades de los dispositivos cuando se reducen sus dimensiones hasta el rango de los nanómetros y tiene enorme interés y relevancia tecnológica. En este marco, la electrónica de óxidos (oxide electronics) es un campo científico y tecnológico dirigido a superar las limitaciones de los semiconductores utilizando películas delgadas y nanoestructuras de los llamados óxidos correlacionados. Investigadores de la Universidad Complutense han mostrado el potencial de estos óxidos para la nanoelectrónica de la próxima generación explotando el carácter multifuncional ligado a su naturaleza compleja.

URL: http://www.ucm.es/info/ucmp/pags.php?tp=Investigadores%20de%20la%20UCM%20crean%20materiales%20artificiales%20con%20nuevas%20propiedades&a=directorio&d=0021277.php


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